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  • 64-2778-27取扱停止Nチャンネル パワーMOSFET 39 A 表面実装 パッケージHSMT 8 ピン RQ3E150GNTB
研究用総合機器

仕様

  • 入数:1リール(3000個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:39 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:6.1 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:2.5V
  • 最低ゲートしきい値電圧:1.2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:±20 V
  • パッケージタイプ:HSMT
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:8
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:17 W
  • 動作温度 Min:-55 °C
  • RoHS適合状況:該当なし
  • コード番号:177-6166
個人的にオーバースペックだった為出品致します。

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公式ホームページ



 

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