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研究用総合機器仕様
- 入数:1リール(3000個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:39 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:6.1 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧:1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:±20 V
- パッケージタイプ:HSMT
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:8
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:17 W
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:該当なし
- コード番号:177-6166
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公式ホームページ